The formation of domains comprising alternating 'hole rich' and 'hole poor' ladders recently observed by Scanning Tunneling Microscopy by Kohsaka et al., on lightly hole doped cuprates, is interpreted in terms of an attractive mechanism which favors the presence of doped holes on Cu sites located each on one side of an oxygen atom. This mechanism leads to a geometrical pattern of alternating hole-rich and hole-poor ladders with a periodicity equal to 4 times the lattice spacing in the CuO plane, as observed experimentally.
Cuprates supraconducteurs peu dopés : une interprétation des structures spatiales. Des arrangements électroniques réguliers ont été détectés récemment par Kohsaka et al. dans des cuprates sous dopés (via une sonde tunnel locale). Certaines paires Cu–O–Cu sont « actives », et forment une échelle. Les autres sites sont peu actifs. Pour expliquer ces structures, nous postulons que, lorsqu'une liaison Cu–O–Cu est occupée par deux trous, la distance (Cu–Cu) rétrécit et l'intégrale de transfert (t) est fortement augmentée. Ceci peut engendrer des paires localisées (réelles ou virtuelles). Aux taux de dopage étudiés, la période de répétition vaudrait 4 mailles élémentaires.
